NTMFS011N15MC是安森美（onsemi）推出的N沟道功率MOSFET，隶属于Power Trench系列，采用Power 56封装，支持表面贴装（SMD），引脚数为5脚。，更多详情参数或规格书请联系 NTMFS011N15MC​[详情]

NTMFS10N7D2C为安森美出品的N沟道功率MOSFET，核心电性参数：VDS=100V、ID=78A、RDS(on)=7500µΩ，功率耗散138W，最高工作温度150℃，更多详情参数或规格书请联系 NTMFS10N7D2C​ 供货[详情]

NTMFS10N3D2C是安森美（onsemi）推出的N沟道功率MOSFET，隶属于Power Trench系列，采用Power 56封装，支持表面贴装（SMD），引脚数为5脚，更多详情参数或规格书请联系 NTMFS10N3D2C 供货情[详情]

NTMFS08N2D5C是安森美（onsemi）推出的N沟道功率MOSFET，隶属于Power Trench系列，采用Power 56封装，支持表面贴装（SMD），引脚数为5脚，更多详情参数或规格书请联系 NTMFS08N2D5C 供货情[详情]

NTMFS7D8N10GTWG 单路 N 沟道功率 MOSFET（PowerTrench、Shielded Gate 技术），更多详情参数或规格书请联系 NTMFS7D8N10GTWG​ 供货情况 NTMFS7D8N10GTWG​ 产品[详情]

NTMFS008N12MCT1G 单路 N 沟道功率 MOSFET（商用电源 MOS 管），更多详情参数或规格书请联系 NTMFS008N12MCT1G 供货情况 NTMFS008N12MCT1G​ 产品购买 NTMFS008N1[详情]

onsemi NTMFS6H858NLT1G 为 N 沟道 80 V、30 A 功率 MOSFET，典型导通电阻约 19.5 mΩ，采用 5×6 mm 扁平 DFN/SO8-FL 封装，具备低 Rds(on) 与良好散热性能，适用于高效率电[详情]

NTMFS7D5N15MC 为 N 沟道 150 V、95.6 A Shielded Gate PowerTrench MOSFET，Rds(on) 典型值约 7.9 mΩ，采用 5×6 mm PQFN8 封装，具有低导通电阻和高电流能力，[详情]

NTMFS6H852NLT1G 为 N 沟道 80 V、42 A 功率 MOSFET，Rds(on) 典型值约 13.1 mΩ（Vgs=10 V），DFN5x6 封装，具有低导通电阻和低栅极电荷，适用于高效率工业电源与电机驱动应用，更多详情[详情]

NTMFS6H848NLT1G 是一款低导通电阻 N 沟道功率 MOSFET，专为高效率电源和负载控制设计。器件支持较高漏极电流和耐压等级，导通损耗小、开关速度快，可在有限 PCB 空间内满足高功率密度需求，广泛适用于适配器、电源模块、电机[详情]

NTMFS6H836NLT1G，更多详情参数或规格书请联系 NTMFS6H836NLT1G​ 供货情况 NTMFS6H836NLT1G​ 产品购买 NTMFS6H836NLT1G​ 中文资料-数据手册-PDF资料 制造商: onse[详情]

NTMFS6H824NLT1G，更多详情参数或规格书请联系 NTMFS6H824NLT1G​ 供货情况 NTMFS6H824NLT1G​ 产品购买 NTMFS6H824NLT1G​ 中文资料-数据手册-PDF资料 制造商: onse[详情]

NTMFS6H818NT1G，更多详情参数或规格书请联系 NTMFS6H818NT1G​ 供货情况 NTMFS6H818NT1G 产品购买 NTMFS6H818NT1G​ 中文资料-数据手册-PDF资料 制造商: onsemi [详情]

NTMFS6H818NLT1G，更多详情参数或规格书请联系 NTMFS6H818NLT1G​ 供货情况 NTMFS6H818NLT1G​ 产品购买 NTMFS6H818NLT1G​ 中文资料-数据手册-PDF资料 制造商: onse[详情]

NTMFS6H800NT1G 是 onsemi 推出的一款 N 沟道功率 MOSFET，具备低导通电阻和优良的开关性能，适用于高效率开关电源、负载开关及电机/继电器驱动等中低压功率应用，更多详情参数或规格书请联系 NTMFS6H800NT[详情]

NTMFS6H800NLT1G 是 onsemi 推出的一款 N 沟道功率 MOSFET，具有低导通电阻和优良的开关特性，适用于高效率开关电源、负载开关及电机驱动等中低压功率应用，更多详情参数或规格书请联系 NTMFS6H800NLT1G[详情]

NTMFS6D1N08HT1G 是 onsemi 推出的一款 N 沟道功率 MOSFET，具有低导通电阻和优良的开关性能，适用于高效率开关电源、负载开关及电机驱动等应用场景，更多详情参数或规格书请联系 NTMFS6D1N08HT1G​ 供[详情]

NTMFS6H801NT1G 是安森美（onsemi）推出的一款 N 沟道功率 MOSFET，采用 Power 33（或 SO‑8FL/DFN 類）封装，具备低导通电阻和优良的开关特性，适用于高效率电源管理和负载开关等应用场景，更多详情参数[详情]

NTMFS006N08MC，更多详情参数或规格书请联系 NTMFS006N08MC​ 供货情况 NTMFS006N08MC​ 产品购买 NTMFS006N08MC​ 中文资料-数据手册-PDF资料 制造商: onsemi 产品种[详情]

NTMFS006N12MCT1G，更多详情参数或规格书请联系 NTMFS006N12MCT1G​ 供货情况 NTMFS006N12MCT1G​ 产品购买 NTMFS006N12MCT1G​ 中文资料-数据手册-PDF资料 制造商: [详情]