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NTMFS006N12MCT1G 供货情况
NTMFS006N12MCT1G 产品购买
NTMFS006N12MCT1G 中文资料-数据手册-PDF资料
制造商: onsemi
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SO-8FL-4
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 120 V
Id-连续漏极电流: 93 A
Rds On-漏源导通电阻: 6 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 4 V
Qg-栅极电荷: 42 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 104 W
通道模式: Enhancement
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: onsemi
产品类型: MOSFETs
系列: NTMFS006N12MC
工厂包装数量：1500
子类别: Transistors
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