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TMFS10N7D2C 核心参数与应用场景全解析

发布时间2026-2-9 16:41:00关键词:NTMFS10N7D2C
摘要

NTMFS10N7D2C为安森美出品的N沟道功率MOSFET,核心电性参数:VDS=100V、ID=78A、RDS(on)=7500µΩ,功率耗散138W,最高工作温度150℃

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制造商: onsemi

产品种类: MOSFET

RoHS:

REACH - SVHC:

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: Power-56-8

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 100 V

Id-连续漏极电流: 78 A

Rds On-漏源导通电阻: 5.9 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V

Qg-栅极电荷: 37 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 83 W

通道模式: Enhancement

封装: Reel

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

商标: onsemi

配置: Single

下降时间: 4 ns

正向跨导 - 最小值: 63 S

产品类型: MOSFETs

上升时间: 4 ns

系列: NTMFS10N7D2C

工厂包装数量:3000

子类别: Transistors

晶体管类型: 1 N-Channel

典型关闭延迟时间: 18 ns

典型接通延迟时间: 13 ns

单位重量: 68.100 mg