NVMFS5C410NWFAFT1G MOSFET T6-D3F 40V NFET
发布时间:2026-4-21 9:12:00
NVMFS5C410NWFAFT1G 是一款N 沟道增强型功率 MOSFET,采用小型化表面贴装封装,具备低导通电阻、快速开关特性,适用于高效率电源管理、负载开关及电池供电类电路场景,制造商: onsemi 产品种类: MOSFET [详情]
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发布时间:2026-4-21 9:12:00
NVMFS5C410NWFAFT1G 是一款N 沟道增强型功率 MOSFET,采用小型化表面贴装封装,具备低导通电阻、快速开关特性,适用于高效率电源管理、负载开关及电池供电类电路场景,制造商: onsemi 产品种类: MOSFET [详情]

发布时间:2026-4-18 17:50:00
NVMFS5C410NLWFAFT1G,制造商: onsemi 产品种类: MOSFET RoHS: REACH - SVHC: 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: SO-8FL 晶[详情]

发布时间:2026-4-17 11:06:00
NVMFS5C410NLAFT1G 是安森美(onsemi)推出的一款汽车级、单 N 沟道、功率 MOSFET,专为高效、紧凑的大电流应用设计onsemi,制造商: onsemi 产品种类: MOSFET REACH - SVHC:[详情]

发布时间:2026-4-16 15:07:00
NVMFS5C410NWFAFT1G 是安森美(ON Semiconductor)出品的一款N 沟道功率 MOSFET,属于车规级高性能、大电流、低内阻器件,专为高效电源与大电流开关应用设计,制造商: onsemi 产品种类: MOSF[详情]

发布时间:2026-4-15 11:10:00
NVMFS5C410NAFT1G 是安森美(ON Semiconductor)出品的一款N 沟道、车规级功率 MOSFET,主打大电流、低内阻、高热稳定性,专为高效电源管理设计,制造商: onsemi 产品种类: MOSFET RE[详情]

发布时间:2026-4-14 17:24:00
NVMFS5C420NT1G 是安森美(onsemi)出品的一款40V N 沟道汽车级功率 MOSFET,主打超低导通电阻与大电流承载能力,专为高效、紧凑的大功率开关应用设计,制造商: onsemi 产品种类: MOSFET RoH[详情]

发布时间:2026-4-13 14:05:00
NVMFS5C404NT1G 是安森美(ON Semiconductor)推出的一款车规级 N 沟道功率 MOSFET,属于40V 低压大电流开关器件,专为汽车电子及工业高功率、高效率应用场景设计,制造商: onsemi 产品种类: M[详情]

发布时间:2026-4-11 10:42:00
NVMFS5C406NWFT1G,制造商: onsemi 产品种类: MOSFET 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: SO-8FL-4 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 [详情]

发布时间:2026-4-9 10:58:00
NVMFS5C404NLWFAFT1G,更多详情参数或规格书请联系 NVMFS5C404NLWFAFT1G 供货情况 NVMFS5C404NLWFAFT1G 产品购买 NVMFS5C404NLWFAFT1G 中文资料-数据手册-[详情]

发布时间:2026-3-31 10:33:00
NVMFS5C404NWFAFT1G 是一款N 沟道 MOSFET 功率场效应管,采用紧凑封装设计,具备低导通电阻、快速开关特性,适用于高效率电源管理、负载开关、DC-DC 转换等场景,NVMFS5C404NWFAFT1G 是一款存储设备相[详情]

发布时间:2026-3-30 9:09:00
ACPL-C87BT-500E 是博通(Broadcom)推出的高精度差分隔离 Σ-Δ 调制型隔离放大器,面向工业与汽车级高隔离、高精度信号采集场景,产品属性 属性值 选择属性 制造商: Broadcom Limited 产品种类: 光[详情]

发布时间:2026-3-28 10:20:00
NVMFS5C406NLT1G 是安森美(onsemi)推出的N 沟道汽车级功率 MOSFET,采用 5×6mm 5-DFN(8‑SOFL)扁平引脚封装,专为高效、紧凑型高功率应用设计,更多详情参数或规格书请联系 NVMFS5C406NL[详情]

发布时间:2026-3-27 10:09:00
NVMFS5C404NLAFT1G 是安森美(ON Semiconductor)推出的N 沟道功率 MOSFET,采用PowerTrench® 工艺,专为40V 中低压、大电流、高密度 功率应用设计,更多详情参数或规格书请联系 NVMFS[详情]

发布时间:2026-3-26 9:52:00
NVMFS5C404NT1G 是安森美(onsemi)推出的40V N 沟道功率 MOSFET,采用DFN5(5×6mm) 小尺寸封装,主打超低导通电阻、大电流、低损耗,面向汽车与工业高效电源应用onsemi,更多详情参数或规格书请联系 [详情]

发布时间:2026-3-25 9:48:00
NVMFS3D6N10MCLT1G 是一款由 onsemi(安森美)研发生产的 N 通道功率 MOSFET,同时有供应商标注其可提供 DIODES(美台半导体)相关原装产品,主要应用于各类高效功率控制场景。,更多详情参数或规格书请联系 N[详情]

发布时间:2026-3-24 9:53:00
NTMFS015N10MCLT1G 是安森美(onsemi)推出的N 沟道增强型功率 MOSFET,专为高效率、高功率密度的电源转换与驱动应用设计,更多详情参数或规格书请联系 NTMFS015N10MCLT1G 供货情况 NTMFS0[详情]

发布时间:2026-3-23 9:08:00
NTMFS022N15MC 是安森美(onsemi)推出的 N 沟道功率 MOSFET,采用 PowerTrench® 屏蔽栅极工艺 与 8 引脚 PQFN 5×6 表面贴装封装,主打低导通损耗与优异开关性能,更多详情参数或规格书请联系 [详情]

发布时间:2026-3-21 22:14:00
NTMFS015N10MCLT1G 是安森美(onsemi)推出的一款高性能 N沟道功率MOSFET,更多详情参数或规格书请联系 NTMFS015N10MCLT1G 供货情况 NTMFS015N10MCLT1G 产品购买 NTMF[详情]

发布时间:2026-2-9 16:46:00
NTMFS011N15MC是安森美(onsemi)推出的N沟道功率MOSFET,隶属于Power Trench系列,采用Power 56封装,支持表面贴装(SMD),引脚数为5脚。,更多详情参数或规格书请联系 NTMFS011N15MC[详情]

发布时间:2026-2-9 16:41:00
NTMFS10N7D2C为安森美出品的N沟道功率MOSFET,核心电性参数:VDS=100V、ID=78A、RDS(on)=7500µΩ,功率耗散138W,最高工作温度150℃,更多详情参数或规格书请联系 NTMFS10N7D2C 供货[详情]