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BSS138LT1G MOSFET 50V 200mA N-Channel

发布时间2026-7-13 10:06:00关键词:BSS138LT1G
摘要

BSS138LT1G BSS138LT1G 为 N 沟道增强型 MOSFET,采用 SOT-23 贴片封装,低导通电阻、小体积,适配低压小信号开关场景

制造商: onsemi

产品种类: MOSFET

RoHS:

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: SOT-23-3

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 50 V

Id-连续漏极电流: 200 mA

Rds On-漏源导通电阻: 3.5 Ohms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 850 mV

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 225 mW

通道模式: Enhancement

封装: Reel

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

商标: onsemi

配置: Single

正向跨导 - 最小值: 100 mS

产品类型: MOSFETs

系列: BSS138L

工厂包装数量:3000

子类别: Transistors

晶体管类型: 1 N-Channel

典型关闭延迟时间: 20 ns

典型接通延迟时间: 20 ns

单位重量: 8 mg