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NTMFS10N3D2C 规格详解|满足多场景高压应用需求

发布时间2026-2-9 16:40:00关键词:NTMFS10N3D2C
摘要

NTMFS10N3D2C是安森美(onsemi)推出的N沟道功率MOSFET,隶属于Power Trench系列,采用Power 56封装,支持表面贴装(SMD),引脚数为5脚

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制造商: onsemi

产品种类: MOSFET

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: Power-56-8

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 100 V

Id-连续漏极电流: 151 A

Rds On-漏源导通电阻: 2.4 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V

Qg-栅极电荷: 84 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 138 W

通道模式: Enhancement

商标名: PowerTrench

封装: Reel

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

商标: onsemi

配置: Single

下降时间: 7 ns

正向跨导 - 最小值: 144 S

产品类型: MOSFETs

上升时间: 12 ns

系列: NTMFS10N3D2C

工厂包装数量:3000

子类别: Transistors

晶体管类型: 1 N-Channel

典型关闭延迟时间: 30 ns

典型接通延迟时间: 24 ns

单位重量: 100 mg