更多详情参数或规格书请联系
NTMFS6H801NT1G 供货情况
NTMFS6H801NT1G 产品购买
NTMFS6H801NT1G 中文资料-数据手册-PDF资料
制造商: onsemi
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SO-8FL-4
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 80 V
Id-连续漏极电流: 157 A
Rds On-漏源导通电阻: 2.3 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V
Qg-栅极电荷: 64 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 166 W
通道模式: Enhancement
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: onsemi
配置: Single
下降时间: 19 ns
正向跨导 - 最小值: 128 S
产品类型: MOSFETs
上升时间: 74 ns
系列: NTMFS6H801N
工厂包装数量：1500
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 70 ns
典型接通延迟时间: 25 ns
单位重量: 750 mg
