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NTMFS015N10MCLT1G​ 中文资料-数据手册-PDF资料

发布时间2026-3-24 9:53:00关键词:NTMFS015N10MCLT1G
摘要

NTMFS015N10MCLT1G 是安森美(onsemi)推出的N 沟道增强型功率 MOSFET,专为高效率、高功率密度的电源转换与驱动应用设计

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制造商: onsemi

产品种类: MOSFET

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: SO-8FL-4

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 100 V

Id-连续漏极电流: 54 A

Rds On-漏源导通电阻: 12.2 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V

Qg-栅极电荷: 19 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 79 W

通道模式: Enhancement

封装: Reel

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

商标: onsemi

组装国: Not Available

扩散国家: Not Available

原产国: MY

产品类型: MOSFETs

系列: NTMFS015N10MCL

工厂包装数量:1500

子类别: Transistors

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