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NTMFS0D7N04XLT1G MOSFET

发布时间2025-3-29 12:00:00关键词:0D7N04XLT1
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NTMFS0D7N04XLT1G

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NTMFS0D7N04XLT1G 产品购买

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制造商: onsemi

产品种类: MOSFET

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: DFN-5

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 40 V

Id-连续漏极电流: 349 A

Rds On-漏源导通电阻: 700 uOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 2.2 V

Qg-栅极电荷: 96 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 175 C

Pd-功率耗散: 167 W

通道模式: Enhancement

封装: Reel

封装: Cut Tape

商标: onsemi

配置: Single

下降时间: 5 ns

正向跨导 - 最小值: 245 S

产品类型: MOSFETs

上升时间: 7 ns

系列: NTMFS0D7N04XL

工厂包装数量:1500

子类别: Transistors

晶体管类型: 1 N-Channel

典型关闭延迟时间: 64 ns

典型接通延迟时间: 25 ns

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