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NTMFS005P03P8ZT1G 供货情况
NTMFS005P03P8ZT1G 产品购买
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制造商: onsemi
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SO-8FL-4
晶体管极性: P-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Id-连续漏极电流: 164 A
Rds On-漏源导通电阻: 2.7 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 25 V, + 25 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V
Qg-栅极电荷: 183 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 900 mW
通道模式: Enhancement
封装: Reel
封装: Cut Tape
商标: onsemi
配置: Single
下降时间: 258 ns
正向跨导 - 最小值: 87 S
产品类型: MOSFETs
上升时间: 79 ns
系列: NTMFS005P03P8Z
工厂包装：1500
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 P-Channel
典型关闭延迟时间: 220 ns
典型接通延迟时间: 2 ns
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