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NTMFS2D1N08XT1G 规格书
制造商: onsemi
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: DFN-5
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 80 V
Id-连续漏极电流: 201 A
Rds On-漏源导通电阻: 1.9 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 3.6 V
Qg-栅极电荷: 39 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 164 W
通道模式: Enhancement
封装: Reel
封装: Cut Tape
商标: onsemi
配置: Single
下降时间: 7 ns
正向跨导 - 最小值: 158 S
产品类型: MOSFETs
上升时间: 9 ns
系列: NTMFS2D1N08X
工厂包装数量：1500
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 42 ns
典型接通延迟时间: 29 ns
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