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NTMFS0D7N04XMT1G 规格书
制造商编号：NTMFS0D7N04XMT1G
制造商: onsemi
产品种类: MOSFET
RoHS: N
REACH - SVHC:
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: DFN-5
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 40 V
Id-连续漏极电流: 323 A
Rds On-漏源导通电阻: 700 uOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 3.5 V
Qg-栅极电荷: 72.1 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 134 W
通道模式: Enhancement
系列: NTMFS0D7N04XM
封装: Reel
封装: Cut Tape
商标: onsemi
配置: Single
下降时间: 6.32 ns
正向跨导 - 最小值: 244
产品类型: MOSFETs
上升时间: 8.12 ns
1500
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 39.1 ns
典型接通延迟时间: 25.8 ns
