制造商编号：BSC054N04NSGATMA1
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TDSON-8
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 40 V
Id-连续漏极电流: 81 A
Rds On-漏源导通电阻: 4.5 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V
Qg-栅极电荷: 34 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 57 W
通道模式: Enhancement
商标名: OptiMOS
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: Infineon Technologies
配置: Single
下降时间: 3.6 ns
正向跨导 - 最小值: 34 S
高度: 1.27 mm
长度: 5.9 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 2.6 ns
系列: OptiMOS 3
5000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 16 ns
典型接通延迟时间: 11 ns
宽度: 5.15 mm
零件号别名: BSC054N04NS G SP000354808
单位重量: 112.080 mg
